--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 ELM7785-7PST
- 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
- 產(chǎn)地 日本
- 封裝 SMT
--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的ELM7785-7PST是一種功率GaAs FET,內部匹配標準通信頻帶,以提供最佳功率和增益。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 ELM7785-7PST
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產(chǎn)地 日本
封裝 SMT
型號參數(shù)
高輸出功率:P1dB=39.0dBm(典型)
高增益:G1dB=9.5dB(典型值)
高PAE:ηadd=33%(典型值)
頻帶:7.7至8.5GHz
內部匹配
SMT應用的塑料封裝
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