FHX35LG/002 超低噪聲 HEMT

HEMT 超低噪聲

型號(hào)： FHX35LG/002

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號(hào) FHX35LG/002
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的FHX35LG是一種高電子遷移率晶體管（HEMT），用于2-18GHz的通用低噪聲高增益放大器頻率范圍。該器件被封裝成成本有效、低寄生、低功耗的器件，用于大容量電信、DBS、TVRO、VSAT或其他低噪聲應(yīng)用程序。Eudyna嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃確保可靠性和一致的性能。

型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號(hào) FHX35LG/002
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 SMT

型號(hào)參數(shù)
低噪聲系數(shù)：1.2B（典型值）@f=12GHz
高相關(guān)增益：10.0dB（典型值）@f=12GHz
Lg≤0.25μm，Wg=280μm
實(shí)現(xiàn)高可靠性的金門金屬化
經(jīng)濟(jì)高效的陶瓷微帶（SMT）封裝
可提供磁帶和卷軸包裝

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