如果從LED照明技術(shù)的發(fā)展來(lái)看，可以從三個(gè)方面來(lái)講，一個(gè)是芯片層面，一個(gè)是封裝層面，一個(gè)是應(yīng)用層面。芯片層面主要關(guān)注LED的制成技術(shù)；封裝層面主要是如何把LED芯片轉(zhuǎn)換成可以用來(lái)照明的燈珠或是光源；LED應(yīng)用層面技術(shù)發(fā)展相對(duì)復(fù)雜，主要包括電子控制技術(shù)的發(fā)展、新型材料的發(fā)展和使用，環(huán)境照明質(zhì)量評(píng)價(jià)技術(shù)的發(fā)展和完善。

　　一、芯片層面

　　一直以追求高的發(fā)光效率為L(zhǎng)ED芯片技術(shù)發(fā)展的動(dòng)力。倒裝技術(shù)是目前獲取高效大功率LED芯片的主要技術(shù)之一，襯底材料中藍(lán)寶石和與之配套的垂直結(jié)構(gòu)的激光襯底剝離技術(shù)（LLO）和新型鍵合技術(shù)仍將在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)占統(tǒng)治地位。但在不久的將來(lái)，采用金屬半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，改善歐姆接觸，提高晶體質(zhì)量，改善電子遷移率和電注入效率，同時(shí)通過(guò)LED芯片外形表面粗化和光子晶體，高反射率鏡面，透明電極改善提取光效率，那時(shí)白光LED的總效率可達(dá)到52%。隨著LED光效的提高，一方面芯片越做越小，在一定大小的外延片上可切割的芯片數(shù)越來(lái)越多，從而降低單顆芯片的成本，另一方面單芯片功率越做越大，如現(xiàn)在是3W，將來(lái)會(huì)往5W、10W發(fā)展。這對(duì)有功率要求的照明應(yīng)用可以減少芯片使用數(shù)，降低應(yīng)用系統(tǒng)的成本?？傊?，倒裝法、高電壓、硅基氮化鎵仍將是半導(dǎo)體照明芯片的發(fā)展方向。

　　二、封裝層面

　　芯片級(jí)封裝、LED燈絲封裝、高顯色指數(shù)及廣色域?qū)⑹俏磥?lái)封裝工藝的發(fā)展趨勢(shì)。采用透明導(dǎo)電膜、表面粗化技術(shù)、DBR反射器技術(shù)來(lái)提升LED燈珠的光效正裝封裝仍然是技術(shù)主流；同時(shí)倒裝結(jié)構(gòu)的COB/COF技術(shù)也是封裝廠家關(guān)注的重點(diǎn)，集成封裝式光引擎將會(huì)成為下一季研發(fā)重點(diǎn)。

　　去電源方案（高壓LED），COB/COF應(yīng)用的普及：在成本因素驅(qū)動(dòng)下，去電源方案逐步成為可接受的產(chǎn)品，而高壓LED充分迎合了去電源方案，但其需要解決的是芯片可靠性。憑借低熱阻、光型好、免焊接以及成本低廉等優(yōu)勢(shì)，COB應(yīng)用在今后將會(huì)得到廣泛普及。

　　另外，中功率將成為主流封裝方式，目前市場(chǎng)上的產(chǎn)品多為大功率LED產(chǎn)品或是小功率LED產(chǎn)品，它們雖各有優(yōu)點(diǎn)，但也有著無(wú)法克服的缺陷，而結(jié)合兩者優(yōu)點(diǎn)的中功率LED產(chǎn)品應(yīng)運(yùn)而生。

　　還有就是新材料在封裝中的應(yīng)用。耐高溫、抗紫外以及低吸水率等更高環(huán)境耐受性的材料，如熱固型材料EMC、熱塑性PCT、改性PPA以及類陶瓷塑料等將會(huì)被廣泛應(yīng)用。對(duì)于光品質(zhì)的需求，針對(duì)室內(nèi)照明方面，LED顯色指數(shù)CRI以80為標(biāo)準(zhǔn)，以90+為目標(biāo)，盡量使照明產(chǎn)品的光色接近普朗克曲線，這樣才能改善LED的光品質(zhì)，今后室內(nèi)照明也將更關(guān)注光的品質(zhì)。

　　通過(guò)優(yōu)化LED封裝技術(shù)，光效進(jìn)一步提高，目前已經(jīng)超過(guò)200lm/W，遠(yuǎn)高于其他大量使用的傳統(tǒng)光源。LED燈珠的散熱性能將進(jìn)一步改善，可靠性進(jìn)一步提高，燈珠的壽命也會(huì)進(jìn)一步延長(zhǎng)，從而光色品質(zhì)進(jìn)一步提高，最終人眼舒適度達(dá)到進(jìn)一步改善。