同步降壓變換器的高頻傳導(dǎo)和輻射發(fā)射是基于硬開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓（dv/dt）和瞬態(tài)電流（di/dt）產(chǎn)生的。這種電磁干擾（EMI）是設(shè)計(jì)和鑒定周期中越來(lái)越令人煩惱的問(wèn)題，特別是考慮到功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)速度的提高。本文分析了功率級(jí)感應(yīng)寄生在電磁干擾產(chǎn)生中的重要作用，并提出了減小寬帶電磁干擾信號(hào)的建議。

　　功率級(jí)緊湊、優(yōu)化的布局降低了EMI，從而更容易遵守法規(guī)。在將轉(zhuǎn)換器原理圖轉(zhuǎn)換為電路板布局時(shí)，一個(gè)重要的步驟是精確定位高轉(zhuǎn)換率電流回路，以便識(shí)別布局引起的寄生或雜散電感，這些電感會(huì)導(dǎo)致過(guò)大的噪聲、過(guò)沖、振鈴和接地反彈。

　　考慮到圖1中同步降壓變換器中高壓側(cè)MOSFET Q1的開(kāi)啟。電流從同步場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極流到漏極，q2上升到零，q1中的電流上升到電感電流水平。因此，圖1中用紅色陰影表示并標(biāo)有“1”的回路被指定為高頻開(kāi)關(guān)電源回路（或“熱”回路）。

　　相比之下，在電感中流動(dòng)的電流，低頻，主要是直流電與疊加的三角形紋波。電流的變化率固有地受到電感的限制，任何由串聯(lián)產(chǎn)生的寄生電感基本上都是良性的。

　　圖1中的回路2和3被歸類為功率MOSFET的柵極回路。具體來(lái)說(shuō)，回路2代表由自舉電容器cboot提供的高壓側(cè)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器。同樣，回路3對(duì)應(yīng)于VCC提供的低側(cè)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器。在每種情況下，柵極的接通和斷開(kāi)電流路徑分別用實(shí)線和虛線表示。