資料介紹
The CMOS bq4017 is a nonvolatile 16,777,216-bit static RAM organized as 2,097,152 words by 8 bits. The integral control circuitry and lithium energy source provide reliable nonvolatility coupled with the unlimited write cycles of standard SRAM.
The control circuitry constantly monitors the single 5V supply for an out-of-tolerance condition. When VCC falls out of tolerance, the SRAM is unconditionally write-protected to prevent an inadvertent write operation.
At this time the integral energy source is switched on to sustain the memory until after VCC returns valid.
The bq4017 uses extremely low standby current CMOS SRAMs, coupled with small lithium coin cells to provide nonvolatility without long write-cycle times and the write-cycle limitations associated with EEPROM.
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