Gowin B-SRAM 用戶(hù)手冊(cè)主要描述高云半導(dǎo)體B-SRAM 的特性、工作模式、工作時(shí)序以及注意事項(xiàng)，給用戶(hù)提供應(yīng)用說(shuō)明。

　　高云半導(dǎo)體FPGA 產(chǎn)品提供了豐富的塊狀靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器資源，簡(jiǎn)稱(chēng)塊狀靜態(tài)存儲(chǔ)器（B-SRAM）。B-SRAM 在器件內(nèi)部以行的形式分布，每個(gè)B-SRAM 占用3 個(gè)CFU 的位置，B-SRAM 的數(shù)量根據(jù)器件的不同而不同，資源容量詳細(xì)資料請(qǐng)分別參考《GW1N系列FPGA產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)》、《GW1NR系列FPGA 產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)》、《GW2A 系列FPGA 產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)》、《GW2AR系列FPGA 產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)》。

　　高云半導(dǎo)體FPGA 產(chǎn)品中的每個(gè)B-SRAM 可配置最高18Kbits，數(shù)據(jù)位寬和地址深度均可配置。每個(gè)B-SRAM 有兩個(gè)端口，即A 端口和B 端口，兩個(gè)端口都可以進(jìn)行讀操作/寫(xiě)操作，兩個(gè)端口彼此獨(dú)立，獨(dú)立的時(shí)鐘、地址、數(shù)據(jù)和控制信號(hào)，兩個(gè)端口共享一塊存儲(chǔ)空間。每個(gè)B-SRAM 可配置4 種操作模式：?jiǎn)味丝谀Ｊ剑⊿P）、雙端口模式（DP）、偽雙端口模式（SDP）和只讀模式（ROM）。在偽雙端口模式下，A 端口只能用于寫(xiě)操作，B 端口只能進(jìn)行讀操作

　　B-SRAM 支持?jǐn)?shù)據(jù)初始化操作，可以通過(guò)parameter 設(shè)置，也可以通過(guò)IP Core Generator 讀入初始化文件設(shè)置。B-SRAM 的寫(xiě)操作和讀操作均同步于時(shí)鐘，B-SRAM 的輸入端和輸出端都有寄存器，輸入端寄存器支持寫(xiě)入數(shù)據(jù)和控制信號(hào)同步于輸入時(shí)鐘。輸出端的寄存器支持?jǐn)?shù)據(jù)寄存器輸出（Pipeline Mode）幫助改善系統(tǒng)時(shí)序和性能，也支持旁路輸出（Bypass Mode）。寄存器輸出的數(shù)據(jù)比旁路輸出的數(shù)據(jù)延遲一個(gè)時(shí)鐘周期。但建議使用寄存器輸出。B-SRAM 的寫(xiě)操作支持Normal 模式、通寫(xiě)模式和先讀后寫(xiě)模式。高云半導(dǎo)體Gowin 云源軟件IP Core Generator 支持B-SRAM 單端口模式、雙端口模式、偽雙端口模式和只讀模式的生成。

　　一個(gè)B-SRAM 最大容量為18Kbits

　　 支持單端口模式（SP）

　　 支持雙端口模式模式（DP）

　　 支持偽雙端口模式（SDP）

　　支持只讀模式（ROM）

　　支持?jǐn)?shù)據(jù)位寬1bit ~ 36 bits

　　 雙端口模式和偽雙端口模式支持讀寫(xiě)時(shí)鐘獨(dú)立、數(shù)據(jù)位寬獨(dú)立

　　16 bits 及以上的數(shù)據(jù)位寬支持字節(jié)使能功能

　　 支持異步復(fù)位，同步釋放

　　 輸出支持寄存器輸出或旁路輸出

　　 寫(xiě)模式支持Normal 模式、先讀后寫(xiě)模式和通寫(xiě)模式