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掩模曝光劑量的精細(xì)控制工藝設(shè)計(jì)
胡廣榮 李文石
(蘇州大學(xué) 電子信息學(xué)院 微電子學(xué)系，江蘇 蘇州 215021)
摘要：本文從光學(xué)鄰近效應(yīng)的機(jī)理出發(fā), 基于區(qū)域劃分掩模特征線條，實(shí)施曝光劑量控制，從而達(dá)到光學(xué)鄰近效應(yīng)的精細(xì)校正。通過(guò)模擬測(cè)試圖形得到改進(jìn)后的掩模圖形畸變率，與傳統(tǒng)曝光劑量校正法相比，減少了約4%。
關(guān)鍵詞: 光學(xué)鄰近效應(yīng)校正, 特征線條區(qū)域劃分, 圖形畸變率
胡廣榮 李文石
(蘇州大學(xué) 電子信息學(xué)院 微電子學(xué)系，江蘇 蘇州 215021)
摘要：本文從光學(xué)鄰近效應(yīng)的機(jī)理出發(fā), 基于區(qū)域劃分掩模特征線條，實(shí)施曝光劑量控制，從而達(dá)到光學(xué)鄰近效應(yīng)的精細(xì)校正。通過(guò)模擬測(cè)試圖形得到改進(jìn)后的掩模圖形畸變率，與傳統(tǒng)曝光劑量校正法相比，減少了約4%。
關(guān)鍵詞: 光學(xué)鄰近效應(yīng)校正, 特征線條區(qū)域劃分, 圖形畸變率
工藝設(shè)計(jì)
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