資料介紹
光電子器件的高頻封裝形式也多樣化例如同軸( TO)、微型雙列直插( mini DIL)、蝶型等,但是無(wú)論何種形式,封裝引入的寄生參數(shù)都會(huì)對(duì)器件的高頻性能產(chǎn)生一定影響。因此,在提高芯片高頻性能的同時(shí),也必須不斷改進(jìn)芯片的微波封裝技術(shù)。電吸收調(diào)制激光器( EML)作為現(xiàn)代高速光通信系統(tǒng)中常用的關(guān)鍵器件,具有低啁啾、高調(diào)制度、結(jié)構(gòu)緊湊等特點(diǎn),適合于長(zhǎng)距離的光纖通信系統(tǒng),因此一直是人們研究的熱點(diǎn)之一。
根據(jù)調(diào)制方式的不同,主要有兩種激光器:直接調(diào)制激光器和外調(diào)制激光器。其中,直接調(diào)制激光器實(shí)現(xiàn)起來(lái)較簡(jiǎn)單,成本較低,但色散受限距離較短,一般在80公里以下。而外調(diào)制激光器比直接調(diào)制激光器能獲得較大的色散容限值,但實(shí)現(xiàn)起來(lái)較復(fù)雜,成本相對(duì)也較高。在長(zhǎng)距離傳輸時(shí),為了滿(mǎn)足色散容限的要求,一般要采用外調(diào)制激光器,如電吸收外調(diào)制激光器(EML激光器)或鈮酸鋰激光器;
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