近年來，CMOS工藝水平不斷進步，便攜式電子的應用領域也不斷深入，使得低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）的性能要求更加嚴格。LDO未來發(fā)展趨勢是：低成本、低噪聲、低功耗、高效率、高集成度、適用范圍更廣。國內(nèi)IC行業(yè)起步較晚，LDO的發(fā)展落后于先進國際水平，主流電源芯片市場份額基本都被外國公司占據(jù)。因此，掌握基本電源技術知識，學習國際先進水平，設計實用的新型結構，對今后發(fā)展具有戰(zhàn)略性意義。

　　本文針對LDO的發(fā)展要求，主要研究LDO的核心——誤差放大器，且著重對誤差放大器頻率補償進行分析和設計。結合國內(nèi)外現(xiàn)有三級放大器補償結構的優(yōu)點，本論文采用單密勒電容前饋頻率補償（SMFFC），并用Cadence完成電路構造和參數(shù)仿真。此放大器的設計采用CSMC0.5um工藝，在正負電源電壓分別為正負一伏，負載電容120pF，負載電阻25K的情況下對電路進行仿真，仿真達到指標為：放大器的單位增益帶寬為8.6MHz直流增益95.4dB，相位裕度為60.7，補償電容僅為，2.76pF，功耗僅為0.384mw。

　　分析與設計的具體內(nèi)容有：第一章主要對LDO的工作原理和誤差放大器對LDO的影響進行簡單的闡述，以引出下文對誤差放大器的分析。

　　第二章一方面對誤差放大器基本電路單元進行分析設計；另一方面著重分析放大器的頻率補償，運用一種SFMMC結構的補償方式，分析其小信號傳輸函數(shù)，確定零極點位置，實現(xiàn)了左半平面零點在頻率補償中的作用：第三章則根據(jù)本次設計提出的各項指標對電流進行分配從而計算出各管子的寬長比，并用Candence仿真軟件對電路圖進行仿真，分析仿真結果。從仿真結果可以看出，此誤差放大器達到了預期的補償目的，完成了設計指標的要求。

　　文章結尾對本設計進行了小結，指出了設計中所存在的一些不足之處，并結合當前設計和未來發(fā)展提出了進一步的想法。