資料介紹
本文討論了大功率超高速半導(dǎo)體開關(guān)RSD(Reversely Switched Dynistor)導(dǎo)通時(shí)的集膚效應(yīng),在考慮了大注入效應(yīng)和強(qiáng)場引起的雪崩電離效應(yīng)的RSD模型基礎(chǔ)上,得到了在集膚效應(yīng)影響下的芯片上的電流密度分布,越靠近邊沿電流密度越大,且隨著電流上升率的提高芯片中心和邊沿電流密度的差距加大,該結(jié)論得到了初步實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證?;诖?,在電流上升率很高的短脈沖放電應(yīng)用中,應(yīng)盡量使用小直徑RSD芯片,以提高芯片面積的利用率
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