資料介紹
本文利用NMOS 管與PMOS 管柵源電壓的溫度特性及襯底偏置效應(yīng),設(shè)計(jì)了一種
帶曲率補(bǔ)償輸出電壓約為233mV 的電壓基準(zhǔn)源。該電路結(jié)構(gòu)簡單,電源抑制特性較好,并與傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓的溫度特性相似。利用0.5- μm CMOS 工藝對電路進(jìn)行仿真,仿真結(jié)果表明:電源電壓為1V 時,在-40oC 至125oC 溫度范圍內(nèi),基準(zhǔn)源的溫度系數(shù)約為11ppm/ oC;在100Hz 和10MHz 時電源抑制比分別為-58.6 dB 和-40dB。
關(guān)鍵詞:電壓基準(zhǔn)襯底電壓閾值電壓曲率補(bǔ)償
帶曲率補(bǔ)償輸出電壓約為233mV 的電壓基準(zhǔn)源。該電路結(jié)構(gòu)簡單,電源抑制特性較好,并與傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓的溫度特性相似。利用0.5- μm CMOS 工藝對電路進(jìn)行仿真,仿真結(jié)果表明:電源電壓為1V 時,在-40oC 至125oC 溫度范圍內(nèi),基準(zhǔn)源的溫度系數(shù)約為11ppm/ oC;在100Hz 和10MHz 時電源抑制比分別為-58.6 dB 和-40dB。
關(guān)鍵詞:電壓基準(zhǔn)襯底電壓閾值電壓曲率補(bǔ)償
電壓基準(zhǔn)
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