資料介紹
用于光電化學(xué)太陽電池中半導(dǎo)體電極研究的材料包括有:Si、Ⅱ
-Ⅵ族化合物CdX(X=S、Se、Te)、Ⅲ-Ⅴ族化合物(GaAs、InP)、
二硫族層狀化合物(MoS2、FeS2)、三元化合物(CuInSe2、CuInS2、
AgInSe2)及氧化物半導(dǎo)體(TiO2、ZnO、Fe2O3)等,其中窄禁帶半
導(dǎo)體(Eg≤2.0eV)可獲得較高的光電轉(zhuǎn)換效率,但存在光腐蝕現(xiàn)象,
寬禁帶半導(dǎo)體(Eg≥3.0eV)有良好的穩(wěn)定性,但對太陽能的吸收率
低。因此大量的研究工作都是圍繞提高光電效率和穩(wěn)定性進(jìn)行的。
-Ⅵ族化合物CdX(X=S、Se、Te)、Ⅲ-Ⅴ族化合物(GaAs、InP)、
二硫族層狀化合物(MoS2、FeS2)、三元化合物(CuInSe2、CuInS2、
AgInSe2)及氧化物半導(dǎo)體(TiO2、ZnO、Fe2O3)等,其中窄禁帶半
導(dǎo)體(Eg≤2.0eV)可獲得較高的光電轉(zhuǎn)換效率,但存在光腐蝕現(xiàn)象,
寬禁帶半導(dǎo)體(Eg≥3.0eV)有良好的穩(wěn)定性,但對太陽能的吸收率
低。因此大量的研究工作都是圍繞提高光電效率和穩(wěn)定性進(jìn)行的。
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