資料介紹
布局的思考
高和低側(cè)柵極驅(qū)動器的最佳性能不能實現(xiàn)不采取適當?shù)?。電路板布局中的考慮。強調(diào)以下幾點。
1.低ESR / ESL電容必須連接到IC,并在VDD和VSS之間的引腳和之間HB和HS引腳支持高峰值電流繪制從VDD在外部的開啟。MOSFET。
2.為了防止頂部MOSFET漏極的電壓瞬變,必須使用低ESR的電解電容器。連接MOSFET漏極和接地(VSS)。
3.為了避免開關節(jié)點(HS)引腳上的大的負瞬變,寄生電感在
必須將頂部MOSFET的源極和底部MOSFET(同步整流器)的漏極降至最低。
4.接地的考慮:
?。╝)設計接地連接的首要任務是限制高峰值電流。在最小物理面積上充放電MOSFET柵極。這將減少循環(huán)。MOSFET柵極端的電感和最小噪聲問題。MOSFET應該是盡可能靠近門驅(qū)動器。
?。╞)第二大電流通路包括自舉電容、自舉二極管、局部接地。參考旁路電容和低側(cè)MOSFET體二極管。自舉電容充電。逐周期的基礎上,自舉二極管從接地參考VDD旁路電容器。充電發(fā)生在很短的時間間隔,涉及高峰值電流。最小化這個循環(huán)長度路板上的面積對保證可靠運行非常重要。

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