綜述了全球CMP設(shè)備市場概況及適應(yīng)0. 1$N.m工藝平坦化要求的CMP技術(shù)

　　現(xiàn)狀，給出了向今300mm國片轉(zhuǎn)移過程中CMP技術(shù)占用成本及CMP設(shè)備性能指標(biāo)。

　　為了進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率和降低成本，制備器件村底的硅片現(xiàn)正在由中200二 圓片向中300mm圓片過渡，對這種襯底必須進(jìn)行全局平坦化。多年的研究表明，需要對多層布線互連結(jié)構(gòu)中絕緣體、導(dǎo)體、層間介質(zhì)（ILD），鑲嵌金屬W， Al， Cu， Au、多晶硅、硅氧化物等進(jìn)行平面化處理，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）則是唯一的全局平面化技術(shù)。 利用 Strasbaugh公司的拋光機(jī)在 EastFishkill T廠進(jìn)行工藝的開發(fā)。1988年，IBM開始將CMP工藝用于4MDRAM器件的制造。到1990年，IBM公司便向Micron Technolog公司出瞥了采用CMP技術(shù)的4MDRAM工藝。此后不久，又與咖-torol。公司合作，共同進(jìn)人為蘋果計算機(jī)公司生產(chǎn)PC機(jī)器件的行列。從此各種邏輯電路和存儲器便以不同的發(fā)展規(guī)模走向CMP。到1994年，隨著0. 5wm器件的批量生產(chǎn)和0. 35 P，rn工藝的開發(fā)，CMP工藝便逐漸進(jìn)人生產(chǎn)線，設(shè)備市場初步形