半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換原理和多孔硅制作及三維pn結(jié)制作分析
資料介紹
絨面(硅表面的一種金字塔式結(jié)構(gòu))由于能有效的提高硅片對(duì)光的吸收率,目前在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域中已廣泛使用。本文試圖在絨面結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,探索通過(guò)電化學(xué)刻蝕的方法,在絨面上制作一層多孔硅,以增大硅片對(duì)光的吸收率;同時(shí)在此基礎(chǔ)上用擴(kuò)散的方法制作三維pn結(jié),以提高太陽(yáng)能電池在能量轉(zhuǎn)化時(shí)的有效pn結(jié)面積,從而有效地提高太陽(yáng)能電池的效率。實(shí)驗(yàn)中使用的電化學(xué)刻蝕法為陽(yáng)極氧化法,即硅作為陽(yáng)極,鉑絲網(wǎng)為陰極,HF(摻入一定比例的水和乙醇或DMF)為電解液;硅片為p型,兩面都拋光。
光電轉(zhuǎn)換原理及基本概念
2.1.1半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換原理
太陽(yáng)能電池是一種將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿钠骷?。太?yáng)能電池的工作原理基于半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng),所以太陽(yáng)能電池又稱為光伏電池。當(dāng)光子入射到光敏材料時(shí),在材料內(nèi)部產(chǎn)生新的電子和空穴對(duì),從而改變了材料的導(dǎo)電性質(zhì)。在外電場(chǎng)作用下,電子移向正極,空穴移向負(fù)極,這樣,外電路中就有電流流過(guò)。這種由于光激發(fā)而產(chǎn)生的電流稱為光電流;這種現(xiàn)象就是光電導(dǎo)現(xiàn)象:能產(chǎn)生光電流的物質(zhì)即是光電轉(zhuǎn)換材料(光電導(dǎo)材料);這種能產(chǎn)生光電流的性質(zhì)就是光電轉(zhuǎn)換性質(zhì)。光電導(dǎo)的基本過(guò)程包括:a.光激發(fā);b.載流子的產(chǎn)生;c.載流子的遷移。當(dāng)光照射到光電轉(zhuǎn)換材料時(shí),只有光子的能量大于該材料的禁帶寬度Eg時(shí),才可能把價(jià)帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶中去,使價(jià)帶產(chǎn)生空穴,見圖2-1

圖 2-1
2.1.2光誘導(dǎo)電子轉(zhuǎn)移反應(yīng)
光誘導(dǎo)電子轉(zhuǎn)移反應(yīng)實(shí)際上是一個(gè)單電子反應(yīng),即在光的作用下,一個(gè)電子從被激發(fā)分子的最低空軌道(LUMO)轉(zhuǎn)移到另一個(gè)基態(tài)分子的LUMO,或從基態(tài)分子的最高占據(jù)軌道(HOMO)轉(zhuǎn)移到被激發(fā)分子的HOMO,如圖2-2所示

圖2-2光誘導(dǎo)電子轉(zhuǎn)移反應(yīng)分子軌道示意圖
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