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通過(guò)對(duì)硅片的少數(shù)載流子有效壽命、硅太陽(yáng)電池的反射損失和光譜響應(yīng)這三個(gè)方面的研究，比較了目前主要的硅太陽(yáng)電池表面鈍化技術(shù)，對(duì)這些鈍化技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了分析和評(píng)價(jià)。從上述三個(gè)方面的比較可以看出，RTO/SiN x 堆疊鈍化技術(shù)在提高硅太陽(yáng)電池性能上是最優(yōu)的，具有良好的應(yīng)用前景。
太陽(yáng)電池
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