本文解決熱問題與使用QFN封裝的GaN功率放大器，最初設(shè)計用于脈沖操作，在CW模式。需要考慮的部件安裝，以提供一個低的熱阻抗路徑，以最佳的操作和可靠性的系統(tǒng)散熱器，使用TGA2307-SM作為一個例子。

　　在微波頻率下的GaN放大器已經(jīng)為系統(tǒng)工程師提供了在更小的物理系統(tǒng)中產(chǎn)生更高的輸出功率電平的機會。然而，隨著系統(tǒng)能力的提高，需要對這些GaN器件提供足夠的熱管理。此外，許多高功率小封裝（例如，QFN）GaN器件，最初被設(shè)想用于脈沖應(yīng)用，由于其尺寸和重量小，越來越希望用于高功率CW系統(tǒng)。這些GaN器件的熱管理是由較小的封裝熱足跡和封裝到系統(tǒng)散熱器的其余部件的接口而變得復(fù)雜的。

　　一個例子是QoVoO TGA2307SM，一個5-6GHz的50瓦GaN功率放大器，使用QoVo的QGaN25生產(chǎn)工藝制造。該TGA2307 SM封裝在6毫米×6毫米40引腳塑料超塑性QFN封裝。最初開發(fā)的脈沖應(yīng)用，TGA2307 SM耗散了62-80沃茨平均功率與100的美國脈沖寬度和10%占空比。在PCB安裝中獲得足夠的熱管理，在該功率水平下，在封裝的主中心焊盤下使用填充銅的熱通孔（圖1），如在評估板（EVB）上使用的那樣。

　　平均功率耗散隨著占空比的增加而增加，直到在CW工作條件下耗散功率現(xiàn)在在60瓦范圍內(nèi)。以前的經(jīng)驗表明，功率水平超過10-15瓦平均不能充分處理使用這種熱管理方法。具有加工基座和鑄造PCB的散熱片開口的PCB提供了通過將PCB封裝到最終的系統(tǒng)散熱器提供更低的熱阻來處理更高功耗的能力。