資料介紹
一、什么是MOS管?
MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,英文名metal oxide semiconductor,屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型,因此,MOS管有時(shí)候又稱為絕緣柵場效應(yīng)管。
二、MOS管的構(gòu)造。
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MOS管這個(gè)器件有兩個(gè)電極,分別是漏極D和源極S,無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+/P+區(qū),并用金屬鋁引出漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的N/P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅(Si02)絕緣層膜,在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極G。這就構(gòu)成了一個(gè)N/P溝道(NPN型)增強(qiáng)型MOS管。

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