相位噪聲是時鐘、射頻頻綜最為關(guān)注的技術(shù)指標(biāo)之一。影響鎖相環(huán)相噪的因素有很多，比如電源、參考源相噪、VCO自身的相噪、環(huán)路濾波器的設(shè)置等。其中，電源引入的低頻噪聲往往對鎖相環(huán)的近端相噪有著很大的影響。對于高性能的時鐘和射頻頻綜產(chǎn)品，為了獲得極低的相噪性能，往往采用低噪聲的LDO供電。然而，采用不同的LDO給頻綜供電，取得的相噪性能往往會有很大差別，同時，LDO外圍電路設(shè)計也會影響到頻綜的相噪性能。

　　本文首先簡要地介紹了LDO的噪聲來源及環(huán)路穩(wěn)定性對輸出噪聲的影響；其次，根據(jù)調(diào)頻理論推導(dǎo)出VCO的相位噪聲與LDO的噪聲頻譜密度的理論計算關(guān)系。在此基礎(chǔ)上，為了驗證LDO噪聲對射頻頻綜輸出相噪的影響，分別采用TPS7A8101和TPS74401 LDO評估板給TRF3765射頻頻綜評估板供電，對比測試這兩種情況下的TRF3765相噪曲線；同時，為了驗證LDO環(huán)路穩(wěn)定性對頻綜相噪的影響，針對TPS7A8101評估板的參考電路做出部分修改，并對比測試了電路修改前后的TRF3765輸出相噪。

　　1、LDO噪聲來源及環(huán)路穩(wěn)定性對輸出噪聲影響

　　1.1 LDO噪聲來源

　　LDO的噪聲分為LDO內(nèi)部的噪聲和LDO外部的噪聲。LDO內(nèi)部的噪聲來自于內(nèi)部電路的帶隙基準(zhǔn)源，放大器以及晶體管。LDO外部的噪聲來自于輸入。在 LDO的手冊中，PSRR是表征LDO抑制外部噪聲的能力，但PSRR高并不代表LDO內(nèi)部噪聲小。LDO的總輸出噪聲才是表征LDO內(nèi)部噪聲抑制的參數(shù)，一般在電氣特性表里用單位？VRMS表示，或者在噪聲頻譜密度圖上表示。