PMOS做固態(tài)繼電器,PMOS做高側(cè)雙向開(kāi)關(guān)電路,PMOS防電流倒灌電路,PMOS電源防反接電路
2021-11-07 |
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資料介紹
用MOS做高側(cè)開(kāi)關(guān)時(shí),PMOS比NMOS更便于控制,不用額外的電荷泵升壓,柵極拉低和置高就能控制通斷。而隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步,PMOS在導(dǎo)通內(nèi)阻方面的參數(shù)漸漸好轉(zhuǎn),逐步縮小了與NMOS的差距,使得PMOS的應(yīng)用場(chǎng)景被進(jìn)一步拓寬。下面列舉一些PMOS做電源防倒灌、防電源反接、理想二極管、單向開(kāi)關(guān)的電路。(基本上是同一個(gè)電路,但可以有這些的應(yīng)用場(chǎng)景)PMOS防電源反接(電源倒灌實(shí)例)上述兩張圖的電路可用于防電源反接,但不防電源倒灌,來(lái)分析這個(gè)電路:當(dāng)VCC有效時(shí),PMOS的體二極管率先導(dǎo)通,隨后S的
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