用于OLED的a2Si TFT有源驅(qū)動陣列保護電路:OL ED(organic elect rical emitting device ,有機電致發(fā)光器件) 有源驅(qū)動陣列在每個單元像素內(nèi)都集成有兩個或多個薄膜晶體管[1 ,2 ] ,以驅(qū)動發(fā)光點陣,從而能在整個幀周期內(nèi)為像素提供持續(xù)的工作信號。有源驅(qū)動克服了無源驅(qū)動方式中使用占空比小的脈沖信號驅(qū)動帶來的問題[3 ] ,有利于實現(xiàn)OL ED 大面積、高分辨率顯示。在OL ED的a2Si TFT 有源驅(qū)動電路的設計過程中,我們采用了在每個單元像素中包含有2 個TFT ( thinfilm t ransistor 薄膜晶體管) 的驅(qū)動電路形式[4～6 ] ,如圖1 所示。由于外界信號的異常變化,掃描線( scanning line) 、數(shù)據(jù)線( data line) 和電源線上(source line) 時常會帶來突發(fā)的高電壓,同時在TFT 陣列和OL ED 制作過程中,因為一些操作中的摩擦,也會帶來高達幾萬伏的靜電壓,這些偶發(fā)的異常電壓信號都會直接作用在T1 管或T2管的柵極上,擊穿柵絕緣介質(zhì),導致器件徹底損壞。所以在T1 、T2 柵極外側(cè)必須加一些保護電路,同時為了防止由電源線上來的高壓信號擊穿OL ED ,在電源線上加保護電路也很有必要。常見的柵保護電路有:二極管柵保護電路、源漏擊穿保護、場致反型保護、柵調(diào)制擊穿保護等[7 ] 。由于源漏擊穿是可恢復的,并考慮到外圍保護電路與驅(qū)動陣列工藝上一致性,我們選擇了源漏擊穿保護的形式,利用a2Si (amorphous silicon 非晶硅)TFT 的擊穿特性,設計保護電路。

　單元像素的驅(qū)動電路