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MCP1401/02 是高速MOSFET 驅動器，可提供500 mA
的峰值電流。反相或同相單通道輸出由TTL 或CMOS
電平（3V 至 18V）直接控制。 這些器件還具有低直通
電流、匹配的上升/ 下降時間和傳輸時延特性，使得它
們成為高開關頻率應用的理想選擇。
MCP1401/02 器件可由4.5V 至18V 的單電源供電，且
可輕松地在不到19 ns（典型值）的時間內(nèi)對470 pF 的
柵極電容進行充放電。 在導通和關斷狀態(tài)下，均可提供
足夠低的阻抗，以確保即使有很大的瞬態(tài)信號也不會影
響MOSFET 的預期狀態(tài)。
只要在其功率和電壓范圍內(nèi)，任何情況下這些器件都很
難閉鎖。 當接地端出現(xiàn)幅度小于等于5V （任何極性）
的噪聲尖峰時，這些器件也不會損壞。它們能承受大小
在500 mA 內(nèi)的反向電流灌入其輸出端，而不會損壞或
出現(xiàn)邏輯顛倒。 此外，所有引腳都被充分地保護，能承
受最高為3 kV （HBM）和400V （MM）的靜電放電
（Electro-static Discharge， ESD）。
的峰值電流。反相或同相單通道輸出由TTL 或CMOS
電平（3V 至 18V）直接控制。 這些器件還具有低直通
電流、匹配的上升/ 下降時間和傳輸時延特性，使得它
們成為高開關頻率應用的理想選擇。
MCP1401/02 器件可由4.5V 至18V 的單電源供電，且
可輕松地在不到19 ns（典型值）的時間內(nèi)對470 pF 的
柵極電容進行充放電。 在導通和關斷狀態(tài)下，均可提供
足夠低的阻抗，以確保即使有很大的瞬態(tài)信號也不會影
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只要在其功率和電壓范圍內(nèi)，任何情況下這些器件都很
難閉鎖。 當接地端出現(xiàn)幅度小于等于5V （任何極性）
的噪聲尖峰時，這些器件也不會損壞。它們能承受大小
在500 mA 內(nèi)的反向電流灌入其輸出端，而不會損壞或
出現(xiàn)邏輯顛倒。 此外，所有引腳都被充分地保護，能承
受最高為3 kV （HBM）和400V （MM）的靜電放電
（Electro-static Discharge， ESD）。
MCP1
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