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特性
? 按 256K x16 的形式組織
? 單電壓讀寫操作
– 1.65-1.95V
? 超高可靠性
– 可擦寫次數(shù)：100，000 次（典型值）
– 數(shù)據(jù)保存時間大于 100 年
? 低功耗（5 MHz 時的典型值）
– 工作電流：5 mA（典型值） – 待機(jī)電流：5 μA（典型值）
? 扇區(qū)擦除功能
– 均一 2K 字扇區(qū)
? 塊擦除功能
– 均一 32K 字塊
? 快速讀取訪問時間
– 70 ns
? 鎖存地址和數(shù)據(jù)
? 快速擦除和字編程
– 扇區(qū)擦除時間：36 ms（典型值）
– 塊擦除時間：36 ms（典型值）
– 全片擦除時間：140 ms（典型值）
– 字編程時間：28 μs（典型值）
? 自動寫時序
– 內(nèi)部 VPP 生成
? 寫操作結(jié)束檢測
– 翻轉(zhuǎn)位
– 數(shù)據(jù) # 查詢
? CMOS I/O 兼容性
? JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)
– 閃存 EEPROM 引腳排列和命令集
? 可用封裝
– 48 球 TFBGA（6 mm x 8 mm）
– 48 球 WFBGA（4 mm x 6 mm）微小封裝
– 48 球 XFLGA（4 mm x 6 mm）微小封裝
? 所有器件均符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
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