DDR2 SDRAM采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行。雙數(shù)據(jù)速率體系結(jié)構(gòu)本質(zhì)上是4n預(yù)取體系結(jié)構(gòu)，其接口設(shè)計(jì)為在I/O球處每個(gè)時(shí)鐘周期傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)字。DDR2 SDRAM的單次讀寫(xiě)操作有效地包括在內(nèi)部DRAM核心處的單次4n位寬、兩個(gè)時(shí)鐘周期的數(shù)據(jù)傳輸和在I/O球處的四次相應(yīng)的n位寬、一個(gè)半時(shí)鐘周期的數(shù)據(jù)傳輸。雙向數(shù)據(jù)選通（DQS，DQS#）與數(shù)據(jù)一起從外部發(fā)送，用于在接收器處的數(shù)據(jù)捕獲。DQS是由DDR2 SDRAM在讀取期間和由存儲(chǔ)器控制器在寫(xiě)入期間發(fā)送的選通。DQS與用于讀取的數(shù)據(jù)邊緣對(duì)齊，與用于寫(xiě)入的數(shù)據(jù)中心對(duì)齊。x16產(chǎn)品有兩個(gè)數(shù)據(jù)選通，一個(gè)用于低字節(jié)（LDQ，LDQ#），一個(gè)用于高字節(jié)（UDQ，UDQ#）。DDR2 SDRAM從差分時(shí)鐘（CK和CK#）運(yùn)行；CK向上和CK向下的交叉將被稱為CK的正邊緣。命令（地址和控制信號(hào)）記錄在CK的每個(gè)正邊緣。輸入數(shù)據(jù)注冊(cè)在DQS的兩邊，輸出數(shù)據(jù)引用DQS的兩邊以及CK的兩邊。對(duì)DDR2 SDRAM的讀寫(xiě)訪問(wèn)是面向突發(fā)的；訪問(wèn)從一個(gè)選定的位置開(kāi)始，然后在一個(gè)已編程的序列中繼續(xù)訪問(wèn)一個(gè)已編程的位置數(shù)。訪問(wèn)從注冊(cè)激活命令開(kāi)始，然后是讀或?qū)懨?。與激活命令一致注冊(cè)的地址位用于選擇要訪問(wèn)的銀行和行。與讀或?qū)懨钜恢伦?cè)的地址位用于選擇突發(fā)訪問(wèn)的組和起始列位置。DDR2 SDRAM提供四個(gè)或八個(gè)位置的可編程讀或?qū)懲话l(fā)長(zhǎng)度。DDR2 SDRAM支持用另一個(gè)讀中斷8的突發(fā)讀，或用另一個(gè)寫(xiě)中斷8的突發(fā)寫(xiě)。可啟用自動(dòng)預(yù)充電功能以提供在突發(fā)存取結(jié)束時(shí)啟動(dòng)的自動(dòng)定時(shí)行預(yù)充電。與標(biāo)準(zhǔn)DDR SDRAM一樣，ddr2sdram的流水線、多銀行體系結(jié)構(gòu)支持并發(fā)操作，從而通過(guò)隱藏行預(yù)充電和激活時(shí)間來(lái)提供高、有效的帶寬。提供自刷新模式以及省電、斷電模式。所有輸入均與SSTL_18的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)兼容。所有全驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度輸出均與SSTL U 18兼容。