XRAM是一種新的內(nèi)存體系結(jié)構(gòu)，旨在以競爭優(yōu)勢提供高密度和高性能的RAM價格XRAM采用先進的DRAM技術(shù)和自刷新架構(gòu)，顯著提高了內(nèi)存密度、性能，同時簡化了用戶界面。

　　XM8A51216V33A/xm8a01m08v33axram在功能上相當(dāng)于異步SRAM，是一個

　　高性能8Mbits CMOS存儲器，由512K字16位和1024K字8位組成，支持異步SRAM存儲器接口。

　　要寫入設(shè)備，請將芯片啟用（CE）和寫入啟用（WE）輸入設(shè)為低。如果字節(jié)低啟用（BLE）為低，則來自I/O引腳（DQ0到DQ7）的數(shù)據(jù)將寫入地址引腳（A0到A18）上指定的位置。如果字節(jié)高啟用（BHE）為低，則來自I/O引腳（DQ8到DQ15）的數(shù)據(jù)將寫入地址引腳（A0到A18）上指定的位置。讀取從設(shè)備，采取芯片使能（CE）和輸出使能（OE）低，而迫使寫入使能（WE）高。如果字節(jié)低啟用（BLE）為低，則來自地址引腳指定的內(nèi)存位置的數(shù)據(jù)顯示在DQ0到DQ7上。如果字節(jié)高啟用（BHE）低，則來自內(nèi)存的數(shù)據(jù)顯示在DQ8到DQ15上。有關(guān)讀寫模式的完整描述，請參閱第8頁的真值表。

　　當(dāng)設(shè)備被取消選擇（CE）、輸出被禁用（OE高）、BHE和BLE被禁用（BHE、BLE高）或在寫操作期間（CE和WE低）時，輸入或輸出引腳（DQ0到DQ15）處于高阻抗狀態(tài)。突發(fā)模式引腳（mode）定義突發(fā)序列的順序。當(dāng)綁定高時，選擇交織突發(fā)序列。當(dāng)綁定低時，選擇線性突發(fā)序列。