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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>石英晶體振蕩器有哪些輸出模式

石英晶體振蕩器有哪些輸出模式

2020-10-13 | pdf | 0.39 MB | 次下載 | 1積分

資料介紹

  我們在選擇和購買石英晶體振蕩器時,或者在看廠商所提供的晶振規(guī)格書時,都會有輸出模式(Output Type)或輸出波形這個指標。經(jīng)??吹降妮敵瞿J接蠧MOS、TTL、Sine Wave等等,這些輸出模式代表的是什么意思呢?我們在選購時,究竟又該如何正確選擇呢?下面帶領(lǐng)大家去了解一下晶體振蕩器的各種輸出模式。

  1、晶振各輸出模式的定義

  晶振常用的輸出模式主要包括:TTL、CMOS、ECL、PECL、LVDS、Sine Wave。這幾種波形都是目前行業(yè)常用的波形。其中TTL、CMOS、ECL、PECL、LVDS均屬于方波,Sine Wave屬于正弦波。通常,方波輸出功率大,驅(qū)動能力強,但諧波分量豐富;正弦波輸出功率不如方波,但其諧波分量小很多。我們逐一給大家介紹一下這些輸出模式的定義:(1)TTL:Transistor-Transistor Logic晶體管-晶體管邏輯電路),傳輸延遲時間快、功耗高, 屬于電流控制器件。(2)CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor (互補金屬氧化物半導體CMOS邏輯電路),傳輸延遲時間慢、功耗低,屬于電壓控制器件。CMOS相對TTL有了更大的噪聲容限,輸入阻抗遠大于TTL輸入阻抗。對應(yīng)3.3V LVTTL,出現(xiàn)了 LVCMOS,可以與3.3V的LVTTL直接相互驅(qū)動。HCMOS采用全靜態(tài)設(shè)計、高速互補金屬氧化物半導體工藝,CMOS采用互補金屬氧化物半導體。CMOS最終將會被HCMOS所替代。(3)ECL:Emitter-Couple Logic(發(fā)射極耦合邏輯電路),該電路的特點是基本門電路工作在非飽和狀態(tài)。ECL電路具有相當高的速度,平均延遲時間可達幾個毫微秒甚至亞毫微秒數(shù)量級。ECL電路的邏輯擺幅較?。▋H約0.8V ,而TTL 的邏輯擺幅約為2.0V),當電路從一種狀態(tài)過渡到另一種狀態(tài)時,對寄生電容的充放電時間將減少,這是ECL電路具有高開關(guān)速度的重要原因。但ECL輸出的邏輯擺幅小,對抗干擾能力不利。另外ECL電路具有很高的輸入阻抗和低的輸出阻抗。(4)PECL:Positive Emitter-Couple Logic(正發(fā)射極耦合邏輯電路)。ECL電路速度快,驅(qū)動能力強,噪聲小,很容易達到幾百MHz的應(yīng)用,但是功耗大,需要負電源。為簡化電源,出現(xiàn)了PECL(ECL結(jié)構(gòu),改用正電壓供電)和LVPECL的輸出模式。LVPECL即是Low Voltage Positive Emitter-Couple Logic(低壓正發(fā)射極耦合邏輯),LVPECL是由ECL和PECL發(fā)展而來,LVPECL的典型輸出為一對差分信號,他們的射極通過一個交流源接地。ECL、PECL、LVPECL使用時應(yīng)注意:不同電平不能直接驅(qū)動,中間可用交流耦合、電阻網(wǎng)絡(luò)或?qū)S眯酒M行轉(zhuǎn)換。以上三種均為射隨輸出結(jié)構(gòu),必須有電阻拉到一個直流偏置電壓。(如多用于時鐘的LVPECL:直流匹配時用130歐上拉,同時用82歐下拉;交流匹配時用82歐上拉,同時用130 歐下拉,但兩種方式工作后直流電平都在1.95V左右。)(5)LVDS:Low-Voltage Differential Signaling(低電壓差分信號),為差分對輸入輸出,內(nèi)部有一個恒流源3.5~4mA,在差分線上改變方向和電平來表示“1”和“0”。通過外部的100歐匹配電阻(并接在差分線上靠近接收端)轉(zhuǎn)換為±350mV的差分電平。LVDS使用注意:可以達到600MHz以上,PCB要求較高,差分線要求嚴格等長,差最好不超過10mil(0.25mm);100 歐電阻離接收端距離不能超過500mil,最好控制在300mil以內(nèi)。LVDS的應(yīng)用模式可以有三種形式:①單向點對點和雙向點對點,能通過一對雙絞線實現(xiàn)雙向的半雙工通信;②多分支形式,即一個驅(qū)動器連接多個接收器(當有相同的數(shù)據(jù)要傳給多個負載時,可以采用這種應(yīng)用形式);③多點結(jié)構(gòu),此時多點總線支持多個驅(qū)動器,也可以采用BLVDS驅(qū)動器,它可以提供雙向的半雙工通信,但是在任一時刻,只能有一個驅(qū)動器工作,因而發(fā)送的優(yōu)先權(quán)和總線的仲裁協(xié)議都需要依據(jù)不同的應(yīng)用場合,選用不同的軟件協(xié)議和硬件方案。(6)Clipped Sine Wave:削頂正弦波(Clipped Sine Wave)。相比方波的諧波分量少很多,但驅(qū)動能力較弱,在負載 10K//10PF時Vp-p為0.8Vmin。通常為SMD 7050、SMD5032、SMD3225等封裝的表貼溫補晶振使用的輸出波形。(7)Sin Wave:通常晶振正弦波輸出的負載阻抗為50歐姆。波形的諧波分量很小,一般諧波抑制都優(yōu)于-30dBc。正弦波輸出晶振通常用于射頻信號處理、頻率源等應(yīng)用場合。
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CMOS 邏輯電路 振蕩器
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