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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>模擬CMOS的靜電和過壓危害如何避免

      模擬CMOS的靜電和過壓危害如何避免

      2020-11-25 | pdf | 0.16 MB | 次下載 | 3積分

      資料介紹

      　　對(duì)于模擬 CMOS（互補(bǔ)對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體）而言，兩大主要危害是靜電和過壓（信號(hào)電壓超過電源電壓）。了解這兩大危害，用戶便可以有效應(yīng)對(duì)。

      　　靜電

      　　由靜電荷積累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的靜電電壓帶來的危害可能擊穿柵極與襯底之間起絕緣作用的氧化物（或氮化物）薄層。這項(xiàng)危害在正常工作的電路中是很小的，因?yàn)闁艠O受片內(nèi)齊納二極管保護(hù)，它可使電荷損耗至安全水平。然而，在插人插座時(shí)，CMOS 器件與插座之間可能存在大量靜電荷。如果插人插座的第一個(gè)引腳恰巧沒有連接齊納二極管保護(hù)電路，柵極上的電荷會(huì)穿過氧化層釋放而損壞器件。以下四步有助于防止器件在系統(tǒng)裝配階段受損：將未使用的 CMOS 器件存放于黑色導(dǎo)電泡沫材料中，這樣在運(yùn)輸時(shí)可以防止引腳之間積累電荷；負(fù)責(zé)器件接插的操作人員應(yīng)通過一個(gè)塑料接地帶與系統(tǒng)電源地相連；從防護(hù)性的泡沫材料中取出 CMOS 器件前，泡沫材料應(yīng)與電源共地，釋放掉積累的電荷；在電路插人電路板之后，移動(dòng)電路板時(shí)應(yīng)保持電路板接地或屏蔽。

      CMOS 二極管 電壓源
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