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- CGD15SG00D2,參考設(shè)計(jì)將演示為第三代(C3M)碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)量身定制的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)
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