資料介紹
為解決功率MOSFET因柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)振蕩產(chǎn)生的過熱損壞問題,從MOSFET的模型入手,給出了考慮驅(qū)動(dòng)電路各寄生參數(shù)的半橋逆變電路等效模型.深入分析了柵極振蕩的產(chǎn)生機(jī)理,推導(dǎo)了各參數(shù)與振蕩之間的關(guān)系表達(dá)式,繪制了以各參數(shù)為自變量的振蕩三維時(shí)域暫態(tài)關(guān)系曲線,并以此為依據(jù)進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì),通過增加MOSFET開通時(shí)間,最大程度地抑制振蕩。理論分析和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,改進(jìn)后的驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、實(shí)用,實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)的安全穩(wěn)定運(yùn)行。
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