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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>HFTA-16.0：雙極集成電路的 ESD 保護(hù)

      HFTA-16.0：雙極集成電路的 ESD 保護(hù)

      2022-11-18 | pdf | 141.39KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      介紹介紹靜電放電 (ESD) 事件向集成電路 (IC) 發(fā)送具有潛在破壞性的能量脈沖。設(shè)計(jì)良好的 IC 具有保護(hù)電路來(lái)處理在將 IC 組裝到應(yīng)用電路時(shí)可能發(fā)生的 ESD。IC 還必須處理組裝后穿透靜電屏蔽進(jìn)入最終電路的 ESD 能量。除了機(jī)械屏蔽外，電源去耦電容器還可以幫助處理 ESD；但是，電容器選擇不當(dāng)會(huì)使 IC 更易損壞。為正確保護(hù)集成電路免受未屏蔽 ESD 的影響，應(yīng)考慮以下問(wèn)題。靜電放電 (ESD) 事件向集成電路 (IC) 發(fā)送具有潛在破壞性的能量脈沖。設(shè)計(jì)良好的 IC 具有保護(hù)電路來(lái)處理在將 IC 組裝到應(yīng)用電路時(shí)可能發(fā)生的 ESD。IC 還必須處理組裝后穿透靜電屏蔽進(jìn)入最終電路的 ESD 能量。除了機(jī)械屏蔽外，電源去耦電容器還可以幫助處理 ESD；但是，電容器選擇不當(dāng)會(huì)使 IC 更易損壞。為正確保護(hù)集成電路免受未屏蔽 ESD 的影響，應(yīng)考慮以下問(wèn)題。將 ESD 轉(zhuǎn)移到 IC 的交付模型將 ESD 轉(zhuǎn)移到 IC 的交付模型IC內(nèi)部的ESD保護(hù)IC內(nèi)部的ESD保護(hù)應(yīng)用電路與 IC 內(nèi)部 ESD 保護(hù)之間的相互作用應(yīng)用電路與 IC 內(nèi)部 ESD 保護(hù)之間的相互作用修改應(yīng)用電路，提高IC的ESD防護(hù)能力修改應(yīng)用電路，提高IC的ESD防護(hù)能力ESD 交付模型ESD 交付模型靜電放電水平用電壓來(lái)描述。該電壓由存儲(chǔ)在電容器上的電荷轉(zhuǎn)移到 IC 產(chǎn)生。IC 上的電壓和電流應(yīng)力是由 IC 和 ESD 源之間的阻抗關(guān)系產(chǎn)生的。ESD 測(cè)試儀是根據(jù)預(yù)期的電荷源建模的。靜電放電水平用電壓來(lái)描述。該電壓由存儲(chǔ)在電容器上的電荷轉(zhuǎn)移到 IC 產(chǎn)生。IC 上的電壓和電流應(yīng)力是由 IC 和 ESD 源之間的阻抗關(guān)系產(chǎn)生的。ESD 測(cè)試儀是根據(jù)預(yù)期的電荷源建模的。ESD 測(cè)試通常使用兩種帶電物體模型（ESD 測(cè)試通常使用兩種帶電物體模型（圖 1圖 1）。人體模型 (HBM) 表示存儲(chǔ)在人體（100pF 電容器）上并通過(guò)皮膚（1.5kΩ 電阻器）放電的電荷。機(jī)器模型 (MM) 表示存儲(chǔ)在金屬物體上的電荷。MM 中的放電僅受互連電感限制。）。
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