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氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動(dòng)力趨勢(shì)是led，微波，以 及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管，利用了氮化鎵的一些獨(dú)特特性。氮化鎵具有與硅相當(dāng)?shù)?電子遷移率，但具有一個(gè)三倍大的帶隙，使之成為極好的高功率應(yīng)用和高溫的候選人操作。能夠形成薄型algan /GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu) 圖，其表現(xiàn)出二維電子氣體現(xiàn)象導(dǎo)致高電子遷移率晶體管。氮化鎵研究的另一個(gè)有趣方向，它是基于GaN的微機(jī)械cal設(shè)備或 GaN微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)。
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