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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>除了氮化鎵 快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域

      除了氮化鎵 快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域

      2023-02-22 | pdf | 0.23 MB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      氮化鎵（GaN）或碳化硅（SiC）器件也被成為第三代半導(dǎo)體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場強約是硅器件的10倍，因 而具有更高的耐壓能力以及更低的導(dǎo)通壓降，轉(zhuǎn)換效率高，也更適應(yīng)高溫工作環(huán)境。與硅材料和SiC相比，GaN材料電子飽和 漂移速率更高，適合高頻率應(yīng)用場景，因而在電力電子應(yīng)用中，GaN器件可以在MHz以上頻率工作，大大減小了對外圍電路中 電感器件的要求，從而可以成倍減少設(shè)備體積，減少銅等高成本原材料的用量，在開關(guān)電源應(yīng)用上，明顯優(yōu)于硅器件。
      氮化鎵 GaN 快充技術(shù)
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