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作為十四五規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)中科技前沿領(lǐng)域重點(diǎn)攻關(guān)方向，碳化硅（SiC）基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）肩負(fù)眾望。 盡管目前碳化硅功率MOSFET的阻斷電壓已經(jīng)可以做到10 kV，但作為一種缺乏電導(dǎo)調(diào)制的單極性器件，進(jìn)一步提高阻斷電壓 將會(huì)面臨通態(tài)電阻升高的問(wèn)題。理論計(jì)算表明，20 kV的碳化硅功率MOSFET需要制備厚度超過(guò)172 μm的漂移區(qū)，則其通態(tài)特 征電阻將會(huì)顯著增大，可超過(guò)245 mΩ·cm2。因此實(shí)現(xiàn)高壓大電流功率器件（>7kV，>100A）的希望寄托于既能利用電導(dǎo)調(diào)制 效應(yīng)降低通態(tài)壓降又能利用MOS柵降低開(kāi)關(guān)功耗、提高工作頻率的SiC基IGBT上。 我司技術(shù)團(tuán)隊(duì)利用APSYS半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)平臺(tái)開(kāi)發(fā)出了SiC基IGBT計(jì)算模型(ver.1.0)，可以得到輸入輸出特性曲線及正反向擊穿 電壓等各種電學(xué)特性。此模型可直觀展示SiC基IGBT器件內(nèi)部工作原理，為分析器件內(nèi)部機(jī)理提供了重要的參考價(jià)值，對(duì)于研 發(fā)高性能的SiC基IGBT有著重要的指導(dǎo)意義。
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