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在集成電路和分立器件領域，硅始終是應用最廣泛、技術最成熟的半導體材料，但硅材料技術的成熟恰恰意味著難以 突破瓶頸。為了打破固有屏障，半導體產(chǎn)業(yè)進一步深入對新材料、新工藝、新架構的探索。憑借著在功率、射頻應用中的顯著 性能優(yōu)勢，第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化 硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中又以碳化硅和氮化鎵材料技術的發(fā)展最為成 熟。與第一代、第二代半導體材料相比，第三代半導體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強、更高的熱導率，電子 飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌，在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴苛環(huán)境下，依然能夠保證性能穩(wěn)定
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