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當(dāng)提高GaN半橋設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)頻率時(shí)，系統(tǒng)的功率損耗會(huì)增加。與其他功率fet一樣，GaN FETs受到熱性能的限制，需要良好的熱設(shè)計(jì)來(lái)保持成本效益。冷卻系統(tǒng)和達(dá)到更高功率密度的關(guān)鍵是降低功率損耗。為了在1kw功率級(jí)系統(tǒng)中達(dá)到99 %的效率，可以耗散不到10 W的功率損耗。通過(guò)采用適當(dāng)?shù)募夹g(shù)，驅(qū)動(dòng)器的功耗可以降至1 W或總功耗的1 %以下。驅(qū)動(dòng)器損耗包括靜態(tài)、動(dòng)態(tài)和柵極電荷損耗，可能會(huì)限制系統(tǒng)的最大潛在效率。驅(qū)動(dòng)器損耗越低，效率越高，有助于防止散熱問(wèn)題。coolsystem需要一個(gè)快速、低功耗的柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)提高效率。LMG1210有助于最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器散熱以冷卻系統(tǒng)，同時(shí)有助于實(shí)現(xiàn)更好的布局技術(shù)、兩個(gè)獨(dú)立散熱墊的熱量管理以及使用低LDO輸入電壓的低LDO損耗。
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