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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>華潤微 CRTD280P06L2-GTO-252 P-MOSFET 規(guī)格書 佰祥電子

華潤微 CRTD280P06L2-GTO-252 P-MOSFET 規(guī)格書 佰祥電子

2026-04-01 | pdf | 1.68 MB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

華潤微代理商 - 華潤微授權(quán)佰祥電子為中國區(qū)華潤微代理商,佰祥電子本期為大家?guī)砣A潤微專為低壓大電流控制場景匠心打造的 Trench P-MOSFET——CRTD050P03L2-G,以 - 30V 高耐壓、4.2mΩ 超低導(dǎo)通電阻、-125A 大電流、TO-252 通用封裝等核心優(yōu)勢,破解低壓大電流場景中器件導(dǎo)通損耗高、電流承載不足、開關(guān)響應(yīng)慢、高低溫穩(wěn)定性差的行業(yè)痛點(diǎn)。

 

一、原生適配:專為低壓大電流控制場景匠心定制

CRTD050P03L2-G 并非普通 P-MOSFET 器件的簡單設(shè)計(jì),而是立足低壓大電流控制全場景使用需求的定制化 Trench 工藝研發(fā),完美適配各類低壓電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具、鋰電池保護(hù)等設(shè)備,在超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載、高可靠性、通用封裝適配、寬溫域工作之間實(shí)現(xiàn)最優(yōu)平衡,一站式提供 - 30V 額定耐壓、4.2mΩ 超低導(dǎo)通電阻、-125A 持續(xù)電流、JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證、100% 雙測試的完整功率開關(guān)一體化解決方案。

 

二、七大核心亮點(diǎn),重新定義低壓大電流場景 P-MOSFET 應(yīng)用標(biāo)桿

 

先進(jìn) Trench 工藝,4.2mΩ 超低導(dǎo)阻優(yōu) FOM 值

采用華潤微先進(jìn) CRM Trench 溝槽工藝,原生實(shí)現(xiàn) 4.2mΩ 典型導(dǎo)通電阻,VGS=-4.5V 工況下最大僅 7mΩ,大幅降低低壓大電流場景下的導(dǎo)通損耗,直接提升功率轉(zhuǎn)換效率;擁有優(yōu)異的Qg?×RDS(on)?品質(zhì)因數(shù)(FOM),實(shí)現(xiàn)開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的最優(yōu)平衡,完美適配高頻開關(guān)需求;工藝優(yōu)化器件內(nèi)部溝道結(jié)構(gòu),提升功率密度,無需多器件并聯(lián)即可滿足大電流需求,大幅簡化模塊設(shè)計(jì)。

-30V 高耐壓特性,低壓場景穩(wěn)定性拉滿

額定漏源擊穿電壓 - 30V,耐壓特性高度穩(wěn)定,無明顯參數(shù)漂移,完美適配 20-30V 低壓大電流控制的電壓需求;器件耐壓性能經(jīng)過嚴(yán)苛的 100% DVDS 測試,有效抵御供電電壓波動(dòng)帶來的器件故障風(fēng)險(xiǎn);在電動(dòng)工具、鋰電保護(hù)等復(fù)雜低壓供電環(huán)境下運(yùn)行更可靠,適配多場景電壓動(dòng)態(tài)變化需求。

-125A 大電流承載,-240A 脈沖超裕量

25℃硅片極限下支持 - 125A 持續(xù)漏極電流,100℃工況下仍保持 - 60A 持續(xù)電流輸出,充分滿足低壓大電流場景的功率控制需求;25℃下脈沖漏極電流可達(dá) - 240A,脈沖電流裕量充足,適配瞬時(shí)大電流啟動(dòng)場景;器件內(nèi)部優(yōu)化電流分布設(shè)計(jì),避免局部電流集中問題,大電流工況下器件溫升低,運(yùn)行狀態(tài)更穩(wěn)定,無需額外增加擴(kuò)流器件。

TO-252 通用封裝,散熱優(yōu)異易量產(chǎn)

采用 TO-252 通用封裝,結(jié)殼熱阻僅 1.2℃/W,散熱性能優(yōu)異,可快速散除大電流工況下產(chǎn)生的熱量,保障器件長期穩(wěn)定運(yùn)行;封裝尺寸緊湊,適配小型化 PCB 板設(shè)計(jì),大幅節(jié)省板級布局空間,優(yōu)化功率模塊的整體體積;完美兼容主流 SMT 貼片工藝,引腳布局標(biāo)準(zhǔn)化,量產(chǎn)貼裝效率高、良率優(yōu),降低生產(chǎn)工藝難度,適配中小批量試產(chǎn)與大規(guī)模量產(chǎn)需求。

優(yōu)異開關(guān)特性,低驅(qū)動(dòng)損耗快響應(yīng)

優(yōu)化器件柵極電荷特性,柵極總電荷(Qg)典型值僅 88.0nC,柵極驅(qū)動(dòng)損耗大幅降低;開關(guān)響應(yīng)速度快,開通延遲時(shí)間僅 16ns,上升時(shí)間 9ns,精準(zhǔn)適配低壓大電流場景的高頻開關(guān)應(yīng)用需求;開關(guān)過程中尖峰電壓小,EMI 電磁干擾低,大幅降低外圍 EMC 設(shè)計(jì)難度,減少阻容濾波器件的使用;柵極控制邏輯簡單,僅需少量驅(qū)動(dòng)元件即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定驅(qū)動(dòng),大幅簡化外圍驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。

 

JEDEC 認(rèn)證 + 全項(xiàng)嚴(yán)苛測試,高可靠抗沖擊

產(chǎn)品通過 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)權(quán)威認(rèn)證,完全滿足工業(yè)級設(shè)備的高可靠性要求;器件經(jīng)過 100% DVDS 測試與 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達(dá) 225mJ,抗浪涌、抗沖擊能力突出;柵源極支持 ±20V 電壓,過壓耐受能力強(qiáng),在異常供電工況下可有效保護(hù)器件不被損壞,全場景運(yùn)行更安全。

-55~+150℃寬溫域,全環(huán)境穩(wěn)定工作

支持 - 55~+150℃工業(yè)級寬結(jié)溫與存儲(chǔ)溫度范圍,覆蓋戶外設(shè)備、工業(yè)機(jī)械、電動(dòng)工具等全溫域應(yīng)用需求;寬溫域內(nèi)導(dǎo)通電阻溫漂特性優(yōu)異,高低溫極端環(huán)境下器件電氣參數(shù)無明顯衰減,電流承載與耐壓能力保持穩(wěn)定;高低溫工況下無明顯性能損耗,有效提升整機(jī)的環(huán)境適應(yīng)能力與長期使用壽命。

三、主流應(yīng)用場景

 

  • 低壓電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)
  • 電動(dòng)工具功率開關(guān)
  • 鋰電池保護(hù)板
  • 低壓大電流電源模塊
  • 工業(yè)便攜大電流設(shè)備
  • 消費(fèi)電子大電流供電控制

四、總結(jié)

CRTD050P03L2-G 是一款采用 CRM 先進(jìn) Trench 工藝、-30V 高耐壓、4.2mΩ 超低導(dǎo)通電阻、-125A 大電流承載、TO-252 通用封裝的高性能 P-MOSFET,在導(dǎo)通損耗、電流承載能力、功率密度、開關(guān)特性、可靠性認(rèn)證、溫域適配上實(shí)現(xiàn)全維度突破,相比同類型產(chǎn)品更能滿足低壓大電流場景的低損耗、高功率、高可靠應(yīng)用需求,依托華潤微在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心技術(shù)積累,成為低壓大電流控制場景 P-MOSFET 應(yīng)用的標(biāo)桿之選。

佰祥電子作為華潤微官方授權(quán)代理商,常備 CRTD050P03L2-G 原廠現(xiàn)貨,可提供完整規(guī)格書、定制化應(yīng)用方案、全流程硬件調(diào)試指導(dǎo)、樣品快速申請及大規(guī)模量產(chǎn)技術(shù)支持,正品保障、價(jià)格優(yōu)勢顯著、交貨周期短,助力客戶低壓大電流相關(guān)產(chǎn)品高效開發(fā)、穩(wěn)定量產(chǎn)、快速搶占市場。

面向功率半導(dǎo)體市場大電流化、低損耗、高可靠、易量產(chǎn)的發(fā)展趨勢,CRTD050P03L2-G 以 4.2mΩ 超低導(dǎo)通電阻、-125A 大電流、-30V 高耐壓、TO-252 通用封裝、寬溫域穩(wěn)定工作、全項(xiàng)嚴(yán)苛測試保障的核心優(yōu)勢,成為低壓大電流控制場景 P-MOSFET 應(yīng)用的全新標(biāo)桿方案。

IC 電源管理 消費(fèi)電子 華潤微電子 華潤微
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