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半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體，以改變半導(dǎo)體，尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì)．
注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行
離子注入的優(yōu)點(diǎn)
注入雜質(zhì)不受材料溶解度，擴(kuò)散系數(shù)，化學(xué)結(jié)合力的限制，原則上對各種材料都可摻雜
可精確控制能量和劑量，從而精確控制摻雜量和深度
較小的恒向擴(kuò)散
摻雜均勻性好，電阻率均勻性可達(dá)1%
純度高，不受所用化學(xué)品純度影響
可在較低溫度下?lián)诫s
目錄：
射程和分布
溝道效應(yīng)
損傷和退火
離子注入機(jī)
離子注入的應(yīng)用
離子注入工藝模擬
離子注入
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