VMMK器件晶圓等級和芯片封裝工藝
　　如圖1所示，VMMK器件由于安華高特有的晶圓空腔工藝降低了損耗和常見的射頻表貼封裝帶來的寄生電路參數(shù)。通過消除焊接和封裝引腳之間的寄生電感和電容，在芯片和封裝間形成了一個低損耗和低阻抗的信號通道。在元件之上的空腔具有低介電常數(shù)因此能夠在高頻進(jìn)行工作，此外空腔能夠在器件應(yīng)用中提供機械保護(hù)。
　　
　　圖1 安華高低成本半導(dǎo)體工藝流程
　　如圖2所示，器件的輸入端和輸出端都是通過晶圓背面的孔連接，消除了絲焊導(dǎo)致的性能下降。安華高關(guān)于VMMK金屬化和密封工藝保證了器件能夠在標(biāo)準(zhǔn)焊接流程下進(jìn)行操作。
　　VMMK器件工藝消除絲焊和改善熱特性能夠增加貼片的穩(wěn)定性。VMMK器件工藝在表貼工藝流程中沒有增加任何新的設(shè)備，現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)貼片設(shè)備完全滿足要求。
　　最后，通過消除封裝管腳引線，VMMK器件相對于傳統(tǒng)的射頻表貼器件變的更薄，更輕和布板面積更小。例如，VMMK-2x03射頻放大器（1mm*0.5mm*0.25mm）只需要SOT-342封裝5%的體積和10%的PCB面積。相比于許多標(biāo)準(zhǔn)的射頻表貼封裝器件，VMMK器件至少節(jié)省了50%的PCB面積。
　　隨著寄生效應(yīng)的減少，VMMK器件直接與PCB導(dǎo)線相連降低信號通道上的損耗。VMMK器件的空腔結(jié)構(gòu)能夠有效的降低寄生參數(shù)和提高性能。
　　
　　圖2 安華高晶圓空腔工藝降低射頻損耗和寄生電感電容
　　低成本下優(yōu)秀的性能
　　安華高VMMK器件工藝具有批量的半導(dǎo)體制造能力。如圖3所示，依靠消除傳統(tǒng)SMT封裝中成本高的工藝步驟，例如打金線、單元連接和SMT塑模，安華高 VMMK器件工藝能夠在低成本下發(fā)揮更優(yōu)秀的性能。VMMK器件的尺寸非常小，如圖4所示，在SOT-343封裝下能夠容納20個VMMK器件。