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用直接隧道柵電流在線表征PMOSFET 負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性
賈高升許銘真
（北京大學(xué)微電子所 100871）
摘要
本文提出了一種在線表征負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI，negative bias temperature
instability）退化的方法——直接隧道柵電流表征法（DTGCM，DT Gate Current Method）。用這種方法可以得到NBTI 應(yīng)力誘生在超薄柵氧化層中的缺陷密度（包括氧化層體陷阱密度和界面態(tài)密度），并得到PMOSFET器件閾值電壓的漂移（ΔVth）信息。這種方法可以有效避免NBTI 恢復(fù)效應(yīng)的影響。
關(guān)鍵詞 超薄柵氧化層，PMOSFET， 負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性(NBTI)， 退化， 恢復(fù)效應(yīng)
賈高升許銘真
（北京大學(xué)微電子所 100871）
摘要
本文提出了一種在線表征負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI，negative bias temperature
instability）退化的方法——直接隧道柵電流表征法（DTGCM，DT Gate Current Method）。用這種方法可以得到NBTI 應(yīng)力誘生在超薄柵氧化層中的缺陷密度（包括氧化層體陷阱密度和界面態(tài)密度），并得到PMOSFET器件閾值電壓的漂移（ΔVth）信息。這種方法可以有效避免NBTI 恢復(fù)效應(yīng)的影響。
關(guān)鍵詞 超薄柵氧化層，PMOSFET， 負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性(NBTI)， 退化， 恢復(fù)效應(yīng)
MOSFET
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