雙極功率晶體管（BPT）作為電力應用的開關器件，有一些缺點。這導致了功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的發(fā)展。功率MOSFET用于許多應用，如SMPS（開關電源系統(tǒng)）、計算機外圍設備、汽車和電機控制。不斷的研究和改進為它提供了替換BJT（雙極性結晶體管）的理想特性。本申請說明是對功率MOSFET的一般描述和FSC數據簿規(guī)范的詳細介紹。

　　場效應晶體管的理論早在1920～1930年就已為人們所熟知，這比雙極結晶體管的發(fā)明早了20年。當時，美國的J.E.Lilienfeld提出了一種晶體管模型，其兩側各有兩個金屬觸點，半導體頂部有一個金屬板（鋁）。由在金屬板處提供的電壓形成的半導體表面的電場能夠控制金屬觸點之間的電流流動。這是場效應晶體管的最初概念。但由于缺乏合適的半導體材料和不成熟的技術，發(fā)展非常緩慢。威廉在1952年震驚地介紹了JFET（結場效應晶體管）。Dacey和羅斯改進了1953。在JFET中，Lilienfeld的金屬場被pn結代替，金屬接觸被稱為源極和漏極，場效應電極被稱為柵極。小信號MOSFET的研究仍在繼續(xù)，在功率MOSFET設計方面沒有任何重大改進。20世紀70年代推出了新產品。

　　1986年3月，FSC與9人組成了TFT，并開始研究功率MOSFET。目前，飛兆半導體采用平面技術生產QFET系列，采用溝槽技術生產低壓電力溝槽產品。

　　結場效應晶體管（JFET）

　　有兩種類型的JFETs。一個是N溝道類型，另一個是p溝道類型。它們都通過提供給柵極的電壓來控制漏極到源極的電流。如圖1（a）所示，如果在柵極沒有提供偏壓，則電流從漏極流向源，當偏壓在柵極提供時，耗盡區(qū)域開始增長，并減小電流，如圖1（b）所示。與源極耗盡區(qū)域相比，漏極的n個區(qū)域是柵極和漏極VDG的反向偏壓（＝VGS+VDS）高于VGS（柵極和源極之間的偏壓）。

　　這兩種類型的MOSFET是耗盡型和增強型，并且每種類型都有n/p溝道型。耗盡型正常開啟，并作為JFET工作（參見圖2）。增強型正常關閉，這意味著漏源電流隨著柵極電壓的增加而增加。當柵極上沒有電壓供應時，沒有電流流動