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圖1為覆晶（Flip Chip）技術(shù)沈積錫鉛凸塊之流程圖，在電鍍積錫鉛凸塊之后會(huì)進(jìn)行光阻去除（PP Stripping）和UBM蝕刻，其中UBM蝕刻是以凸塊或光阻當(dāng)作蝕刻屏蔽層（Etching mask），然后將未被覆蓋之UBM金屬層作蝕刻去除，以隔離個(gè)別凸塊。它是覆晶技術(shù)中的一個(gè)關(guān)鍵制程，因?yàn)閁BM蝕刻不完全，將會(huì)引起電性短路（Short）；反之如果UBM過(guò)度蝕刻，則會(huì)造成底切（Undercut）問(wèn)題，甚至蝕刻到凸塊本身，最后影響電子組件之可靠度。
在UBM蝕刻制程中，根據(jù)不同的UBM金屬層種類和厚度、蝕刻液之化學(xué)特性、凸塊圖案、必須靈活性地搭配不同的蝕刻方式，以達(dá)到最佳之蝕刻均勻性。
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