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本課題的研究目的旨在從改變功率VDMOS的結(jié)構(gòu)參數(shù)入手得到外延層厚度和柵源電壓對功率VDMOS縱向電場的影響，并且在結(jié)構(gòu)參數(shù)變化的范圍內(nèi)分析出最大電場位置的變化，為優(yōu)化器件的性能起到指導(dǎo)作用。通過二維仿真工具TSUPREM4和MEDICI仿真器件的結(jié)構(gòu)和電場并以圖表的形式計(jì)算得到最大電場位置的變化趨勢。通過修改器件的外延層厚度得到了在不同的參數(shù)下其縱向電場的分布接近封閉的拱形曲線并且隨著外延層厚度的增加最大電場的位置接近線性的變化趨勢，外延層厚度每增加1.5um到2.5um，最大電場點(diǎn)的位置會(huì)上升外延層厚度的百分之3到百分之6．、改變器件的柵源電壓使器件在進(jìn)入準(zhǔn)飽和區(qū)之后縱向電場分布十分穩(wěn)定不在受柵源電壓的影響而沒有進(jìn)入準(zhǔn)飽和區(qū)時(shí)電場隨著柵源電壓的增大而增大。
VDMOS
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