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絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolai Transistor．IGBT）模塊是一種由多個(gè)IGBT芯片和功率二極管芯片、陶瓷覆銅基板（ direct bonding copper substarte）、散熱底板、焊接層、鍵合引線及功率端子組成的電力電子集成模塊，已經(jīng)廣泛應(yīng)用在新能源發(fā)電、軌道交通、航空航天、高壓直流輸電等眾多領(lǐng)域中。IGBT模塊運(yùn)行的可靠性直接關(guān)系到電網(wǎng)及機(jī)車運(yùn)行等的穩(wěn)定安全性能。然而由于IGBT模塊在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)合中需要承受反復(fù)的高電壓大電流，而IGBT模塊內(nèi)部各種材料熱膨脹系數(shù)不匹配導(dǎo)致的疲勞失效問題越來越突出。反復(fù)的功率循環(huán)或溫度循環(huán)會(huì)在鍵合線與芯片表面，焊接層與芯片底面產(chǎn)生反復(fù)的熱應(yīng)力，將會(huì)導(dǎo)致鍵合線裂紋擴(kuò)展甚至剝離，焊接層也會(huì)出現(xiàn)裂紋增長(zhǎng)及空洞擴(kuò)展，從而導(dǎo)致IGBT模塊導(dǎo)通電阻和結(jié)殼熱阻增加，甚至?xí)a(chǎn)生過熱使得IGBT模塊失效。因此對(duì)于IGBT模塊可靠性監(jiān)測(cè)是非常必要的。
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