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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子論文>模擬數(shù)字論文>三值NMOS電路輸出級的改進(jìn)設(shè)計

      三值NMOS電路輸出級的改進(jìn)設(shè)計

      2010-04-21 | rar | 133 | 次下載 | 3積分

      資料介紹

      多值邏輯具有信息容量大的優(yōu)點， 因此其集成電路在對數(shù)字信號的存貯及處理等兩個方面均顯示出巨大優(yōu)越性。
      (1)用于信號的存貯時，如存貯單元在工藝制作中對元件賦予閶值或幾何尺寸的多值特征， 便能在不增加存貯單元數(shù)量的基礎(chǔ)上太大提高信息存貯量，或在存貯等量信息時使用較少存貯單元及基片面積?；谏鲜鲈淼腘MOS四值ROM已于1981年由美國Intel公司銣成商品，并用于Intel-8087數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)處理機及IAPX-432計算機的43203輸入輸出接口。
      (2)用于信號處理時， 由于電路內(nèi)元件具有更強的信息處理能力，且每條導(dǎo)線可傳送較多的信息， 因此可導(dǎo)致新一代高信息密度集成電路的誕生。對于能處理高信息量的多值集成電路的研制一直受到國際上高度重視 。人們參照傳統(tǒng)的=值數(shù)字電路對多值數(shù)字電路進(jìn)行了分類研究。如雙極型的TTL，ECL，I2L多值電路及單極型的CMOS，NMOS多值電路等。

      MOS電路
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