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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子論文>模擬數(shù)字論文>n埋層PSOI結(jié)構(gòu)射頻功率LDMOS的輸出特性

      n埋層PSOI結(jié)構(gòu)射頻功率LDMOS的輸出特性

      2011-12-01 | pdf | 507 KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      提出了具有n 埋層PSOI(部分SOI) 結(jié)構(gòu)的射頻功率LDMOS 器件. 射頻功率LDMOS 的寄生電容直接影響器件的輸出特性. 具有n 埋層結(jié)構(gòu)的PSOI 射頻LDMOS ,其Ⅰ層下的耗盡層寬度增大,輸出電容減小,漏至襯底結(jié)電容比常規(guī)LDMOS 和PSOI LDMOS 分別降低3911 %和2615 %. 1dB 壓縮點(diǎn)處的輸出功率以及功率增益比PSOI LDMOS 分別提高62 %和1116 % ,附加功率效率從3411 %增加到3713 %. 該結(jié)構(gòu)器件的耐壓比體硅LDMOS提高了14 %.

      LDMOS PSOI
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