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      AlGaN和GaN HEMT在不同溫度下的退化規(guī)律及退化機理詳細說明

      2020-06-23 | pdf | 0.23 MB | 次下載 | 1積分

      資料介紹

      　　基于溫度步進應(yīng)力實驗，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應(yīng)力下的退化規(guī)律及退化機理。實驗發(fā)現(xiàn)： 在結(jié)溫為 139 ～ 200 ℃ 時，AlGaN /GaN HEMT 器件的漏源電流隨退化時間逐漸減小; 而在結(jié)溫為 200 ～ 352 ℃時，漏源電流隨退化時間逐漸增大。分析表明： 結(jié)溫低于200 ℃時，AlGaN 施主原子的離化導(dǎo)致肖特基勢壘高度升高; 而在結(jié)溫高于 200 ℃ 時，表面氧雜質(zhì)的擴散導(dǎo)致肖特基勢壘高度逐漸降低。通過計算肖特基勢壘高度，進一步定量的驗證勢壘高度的變化。而勢壘高度的變化又引起閾值電壓的漂移，進而影響漏源電流的變化。因此漏源電流的退化主要是由于勢壘高度的變化引起的。

      半導(dǎo)體 肖特基 GaN
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