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分析 了電子元器件在空間輻射影響 下的一些性能 變化 ，設(shè)計(jì) 了一種應(yīng)用于星栽計(jì)算機(jī)數(shù) 據(jù) 管理 系統(tǒng) 的抗輻 射加 固檢錯(cuò) 糾錯(cuò) 電路 。重點(diǎn)介 紹 了邏輯 設(shè)計(jì) 、版 圖設(shè)計(jì) 和抗 輻射加 固設(shè) 計(jì) 。 電路 采用商用標(biāo)準(zhǔn) CMOS工藝加工，使用版圖級(jí)、單元級(jí)和 電路級(jí)等 多層次的 0．5 m 綜合體硅加 固技 術(shù)，提 高了抗輻射能力。試驗(yàn)結(jié)果表明，電路的抗輻射總劑量最高可達(dá) 3．6kGy(Si)。
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