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      標(biāo)簽　>　先進(jìn)封裝

      先進(jìn)封裝

      +關(guān)注2人關(guān)注

      先進(jìn)封裝可以提高加工效率，提高設(shè)計(jì)效率，減少設(shè)計(jì)成本，降低芯片尺寸等優(yōu)勢(shì)。半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，半導(dǎo)體封裝經(jīng)歷了多次重大革新，芯片級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)?，F(xiàn)在涌現(xiàn)了倒裝類(lèi)（FlipChip，Bumping），晶圓級(jí)封裝（WLCSP，F(xiàn)OWLP，PLP），2.5D封裝等。

      文章：536個(gè) 瀏覽：1042次 帖子：0個(gè)

      先進(jìn)封裝技術(shù)

      深入了解臺(tái)積電先進(jìn)封裝技術(shù)—3DFabric

      深入了解臺(tái)積電先進(jìn)封裝技術(shù)—3DFabric

      進(jìn)入2010年代后，線寬接近原子的尺寸，微細(xì)化的速度開(kāi)始放緩；隨著前沿制造技術(shù)的使用成本越來(lái)越高，設(shè)計(jì)方法正在轉(zhuǎn)向多芯片模塊。

      2023-08-11 標(biāo)簽：TSMC單芯片SoC芯片 2.2k 0

      什么是先進(jìn)封裝？先進(jìn)封裝和傳統(tǒng)封裝區(qū)別 先進(jìn)封裝工藝流程

      什么是先進(jìn)封裝？先進(jìn)封裝和傳統(tǒng)封裝區(qū)別 先進(jìn)封裝工藝流程

      半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，按封裝的外形、尺寸、結(jié)構(gòu)分類(lèi)可分為引腳插入型、表面貼裝型和高級(jí)封裝三類(lèi)。從DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到S...

      2023-08-11 標(biāo)簽：三極管PCB板芯片設(shè)計(jì) 5.5k 0

      全球封裝技術(shù)向先進(jìn)封裝邁進(jìn)的轉(zhuǎn)變

      全球封裝技術(shù)向先進(jìn)封裝邁進(jìn)的轉(zhuǎn)變

      先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測(cè)制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測(cè)廠商，市場(chǎng)格局較為集中，前6 大廠商份額合計(jì)超過(guò)80%。全球主要的 6 家廠商，包...

      2023-08-11 標(biāo)簽：芯片摩爾定律封裝技術(shù) 1.6k 0

      先進(jìn)封裝關(guān)鍵技術(shù)之TSV框架研究

      先進(jìn)封裝關(guān)鍵技術(shù)之TSV框架研究

      先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測(cè)的交叉區(qū)域 先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測(cè)制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測(cè)廠商。先進(jìn)封裝要求在晶圓劃片前融入封裝工藝步...

      2023-08-07 標(biāo)簽：集成電路芯片封裝TSV 3.5k 0

      什么是先進(jìn)封裝技術(shù)的核心

      什么是先進(jìn)封裝技術(shù)的核心

      半導(dǎo)體產(chǎn)品在由二維向三維發(fā)展，從技術(shù)發(fā)展方向半導(dǎo)體產(chǎn)品出現(xiàn)了系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）等新的封裝方式，從技術(shù)實(shí)現(xiàn)方法出現(xiàn)了倒裝（FlipChip），凸塊（Bu...

      2023-08-05 標(biāo)簽：封裝技術(shù)晶圓級(jí)封裝3D封裝 1.1k 0

      CoWoS先進(jìn)封裝是什么？

      隨著chatGPT橫空出世，生成式AI紅遍全球，帶動(dòng)AI芯片的需求強(qiáng)勁，英偉達(dá)（NVIDIA）的H100、A100全部由臺(tái)積電代工，并使用臺(tái)積電的CoW...

      2023-07-31 標(biāo)簽：DRAM臺(tái)積電cpu 5.9k 0

      CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)介紹 CoWoS-R技術(shù)主要特點(diǎn)分析

      CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)介紹 CoWoS-R技術(shù)主要特點(diǎn)分析

      CoWoS-R 技術(shù)的主要特點(diǎn)包括： 1）RDL interposer 由多達(dá) 6L 銅層組成，用于最小間距為 4um 間距（2um 線寬/間距）的布線...

      2023-07-26 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律封裝技術(shù) 2.1萬(wàn) 0

      一文解析Chiplet中的先進(jìn)封裝技術(shù)

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      Chiplet技術(shù)是一種利用先進(jìn)封裝方法將不同工藝/功能的芯片進(jìn)行異質(zhì)集成的技術(shù)。這種技術(shù)設(shè)計(jì)的核心思想是先分后合，即先將單芯片中的功能塊拆分出來(lái)，再通...

      2023-07-17 標(biāo)簽：封裝技術(shù)光通信HPC 7.3k 0

      先進(jìn)封裝技術(shù)匯總：晶圓級(jí)芯片封裝&倒裝芯片封裝

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      What's C4 Flip Chip? ▼C4 is: Controlled Collapsed Chip Connection受控折疊芯...

      2023-07-15 標(biāo)簽：晶圓封裝技術(shù)芯片封裝 3.4k 1

      盤(pán)點(diǎn)先進(jìn)封裝基本術(shù)語(yǔ)

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      先進(jìn)封裝是“超越摩爾”(More than Moore)時(shí)代的一大技術(shù)亮點(diǎn)。當(dāng)芯片在每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上的微縮越來(lái)越困難、也越來(lái)越昂貴之際，工程師們將多個(gè)芯片...

      2023-07-12 標(biāo)簽：fpga晶圓封裝 2k 0

      何謂先進(jìn)封裝？一文全解先進(jìn)封裝Chiplet優(yōu)缺點(diǎn)

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      1. 先進(jìn)制程受限，先進(jìn)封裝/Chiplet提升算力，必有取舍。

      2023-07-07 標(biāo)簽：微處理器晶體管SoC芯片 3.5k 0

      先進(jìn)封裝中凸點(diǎn)技術(shù)的研究進(jìn)展

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      隨著異構(gòu)集成模塊功能和特征尺寸的不斷增加，三維集成技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。凸點(diǎn)之間的互連 是實(shí)現(xiàn)芯片三維疊層的關(guān)鍵，制備出高可靠性的微凸點(diǎn)對(duì)微電子封裝技術(shù)的進(jìn)一步...

      2023-07-06 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝 5.4k 0

      百家爭(zhēng)鳴：Chiplet先進(jìn)封裝技術(shù)哪家強(qiáng)？

      百家爭(zhēng)鳴：Chiplet先進(jìn)封裝技術(shù)哪家強(qiáng)？

      Chiplet俗稱(chēng)“芯?！被颉靶⌒酒M”，通過(guò)將原來(lái)集成于同一 SoC 中的各個(gè)元件分拆，獨(dú)立 為多個(gè)具特定功能的 Chiplet，分開(kāi)制造后再通過(guò)先進(jìn)...

      2023-06-25 標(biāo)簽：封裝技術(shù)半導(dǎo)體器件chiplet 4.1k 0

      先進(jìn)封裝市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以6.9%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)

      先進(jìn)封裝市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以6.9%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)

      隨著摩爾定律的放緩以及前沿節(jié)點(diǎn)復(fù)雜性和成本的增加，先進(jìn)封裝正在成為將多個(gè)裸片集成到單個(gè)封裝中的關(guān)鍵解決方案，并有可能結(jié)合成熟和先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。

      2023-06-21 標(biāo)簽：摩爾定律封裝技術(shù)先進(jìn)封裝 607 0

      先進(jìn)封裝技術(shù)是Chiplet的關(guān)鍵？

      先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝既不是常規(guī)操作，目前成本也是相當(dāng)高的。但如果可以實(shí)現(xiàn)規(guī)?；?，那么該行業(yè)可能會(huì)觸發(fā)一場(chǎng)chiplet革命，使IP供應(yīng)商可以銷(xiāo)售芯片，顛覆半...

      2023-06-21 標(biāo)簽：socASIC設(shè)計(jì)半導(dǎo)體封裝 975 0

      先進(jìn)封裝中銅-銅低溫鍵合技術(shù)研究進(jìn)展

      先進(jìn)封裝中銅-銅低溫鍵合技術(shù)研究進(jìn)展

      Cu-Cu 低溫鍵合技術(shù)是先進(jìn)封裝的核心技術(shù)，相較于目前主流應(yīng)用的 Sn 基軟釬焊工藝，其互連節(jié)距更窄、導(dǎo) 電導(dǎo)熱能力更強(qiáng)、可靠性更優(yōu). 文中對(duì)應(yīng)用于先...

      2023-06-20 標(biāo)簽：集成電路封裝晶體管 4.9k 0

      先進(jìn)封裝之面板芯片級(jí)封裝(PLCSP)簡(jiǎn)介

      先進(jìn)封裝之面板芯片級(jí)封裝(PLCSP)簡(jiǎn)介

      今天我們來(lái)介紹PLCSP（Panel Level Chip Scale Packaging）。同理，PLCSP是一種將面板級(jí)封裝（PLP）和芯片尺寸封裝...

      2023-06-19 標(biāo)簽：芯片pcb晶圓 2.8k 0

      3D硅堆疊和先進(jìn)封裝技術(shù)之3DFabric

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      Fab 6 是臺(tái)積電首個(gè)一體式先進(jìn)封裝測(cè)試工廠，是臺(tái)積電不斷增加的封裝投資的一部分。該晶圓廠已準(zhǔn)備好量產(chǎn)臺(tái)積電 SoIC 封裝技術(shù)。請(qǐng)記住，當(dāng)臺(tái)積電說(shuō)量...

      2023-06-19 標(biāo)簽：臺(tái)積電封裝技術(shù)先進(jìn)封裝 1k 0

      Chiplet和異構(gòu)集成對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的影響

      Chiplet和異構(gòu)集成對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的影響

      隨著摩爾定律的放緩以及前沿節(jié)點(diǎn)復(fù)雜性和成本的增加，先進(jìn)封裝正在成為將多個(gè)裸片集成到單個(gè)封裝中的關(guān)鍵解決方案，并有可能結(jié)合成熟和先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。

      2023-06-16 標(biāo)簽：摩爾定律封裝技術(shù)5G 1.7k 0

      先進(jìn)封裝Chiplet的優(yōu)缺點(diǎn)

      先進(jìn)封裝Chiplet的優(yōu)缺點(diǎn)

      先進(jìn)封裝是對(duì)應(yīng)于先進(jìn)圓晶制程而衍生出來(lái)的概念，一般指將不同系統(tǒng)集成到同一封裝內(nèi)以實(shí)現(xiàn)更高效系統(tǒng)效率的封裝技術(shù)。

      2023-06-13 標(biāo)簽：封裝技術(shù)晶體管chiplet 963 0

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        京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬(wàn)日元。截至2006年3月31日為止的年度銷(xiāo)售額達(dá)到1，181，489百萬(wàn)日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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