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      標(biāo)簽　>　光刻膠

      光刻膠

      +關(guān)注10人關(guān)注

      光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。

      文章：339個(gè) 瀏覽：31808次 帖子：4個(gè)

      光刻膠技術(shù)

      制造集成電路的版圖基本知識(shí)

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      在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。

      2023-06-25 標(biāo)簽：集成電路CMOSMOSFET 1.4萬 0

      重點(diǎn)闡述濕法刻蝕

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      光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。

      2023-06-08 標(biāo)簽：集成電路邏輯電路晶圓 8.8k 0

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      2023-05-25 標(biāo)簽：光刻膠半導(dǎo)體工藝 1.8k 0

      采用光刻膠犧牲層技術(shù)改善薄膜電路制備工藝

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      改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來，不再進(jìn)行濕法刻蝕，避免了側(cè)腐蝕對(duì)線條精度和膜基結(jié)合力的...

      2023-05-16 標(biāo)簽：電感光刻膠薄膜電路 3.7k 0

      芯片的制作為什么要用半導(dǎo)體？Wafer晶圓半導(dǎo)體制造工藝

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      所謂“半導(dǎo)體”，是一種導(dǎo)電性能介于“導(dǎo)體”和“絕緣體”之間的物質(zhì)總稱。導(dǎo)體能導(dǎo)電，比如鐵銅銀等金屬，絕緣體不導(dǎo)電，比如橡膠。芯片的制作為什么要用半導(dǎo)體？

      2023-05-15 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造光刻膠 1.2萬 0

      一文講透光刻膠及芯片制造關(guān)鍵技術(shù)

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      在集成電路制造領(lǐng)域，如果說光刻機(jī)是推動(dòng)制程技術(shù)進(jìn)步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。

      2023-05-13 標(biāo)簽：集成電路pcb芯片制造 3.7k 0

      全面解讀光刻膠工藝制造流程

      全面解讀光刻膠工藝制造流程

      光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場(chǎng)景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，...

      2023-05-11 標(biāo)簽：集成電路三極管印刷電路板 9.5k 0

      光刻技術(shù)的種類介紹

      光刻技術(shù)的種類介紹

      根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所...

      2023-04-25 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體器件光刻膠 2.7k 0

      光刻技術(shù)的詳細(xì)工序

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      清洗硅片（Wafer Clean） 清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性 基本步驟：化學(xué)清洗——漂洗——烘干。

      2023-04-25 標(biāo)簽：硅片光刻機(jī)光刻膠 6.6k 0

      半導(dǎo)體制造中的等離子體刻蝕過程

      從下圖中可以看出結(jié)合使用XeF2氣流和氯離子轟擊的刻蝕速率最高，明顯高于這兩種工藝單獨(dú)使用時(shí)的刻蝕速率總和。

      2023-02-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓光刻膠 6.7k 0

      淺談DRAM制造工藝及微縮挑戰(zhàn)

      薄沉積的使用可以使抗蝕劑硬化，厚沉積的使用可以縮小臨界尺寸（Critical Dimensions：CD）。

      2023-01-09 標(biāo)簽：電容器DRAM光刻膠 2.2k 0

      PCB的加工步驟了解

      芯板，中間是介質(zhì)，兩面是銅箔，就是雙層板時(shí)用的介質(zhì)板，比如ROGERS 4350B等。

      2022-11-01 標(biāo)簽：pcb光刻膠 2.6k 0

      關(guān)于PCB通孔及尺寸要求

      合包與分包（pack and unpack，PAU）工藝被用于制備通孔陣列。與其他雙重曝光工藝不同，PAU工藝并不直接提供額外的圖形分辨率。

      2022-10-24 標(biāo)簽：pcb光刻膠 6.8k 0

      光刻膠的原理和正負(fù)光刻膠的主要組分是什么

      光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑...

      2022-10-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻膠 2.4萬 2

      高數(shù)值孔徑 EUV 系統(tǒng)的好處

      隨著光刻膠層變得更薄，整體光刻膠的特性變得不那么重要，并且光刻膠（暴露與否）與顯影劑和底層之間的界面變得更加重要。

      2022-09-21 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV光刻膠 1.5k 0

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      一文詳解光刻膠剝離工藝

      雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對(duì)襯底的全表面涂層進(jìn)行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護(hù)的位置。本章描述了獲...

      2022-07-12 標(biāo)簽：工藝蝕刻光刻膠 3.1k 0

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      硫酸(H2SO4)和過氧化氫(H2O2)混合物(SPM)用于各種濕法清洗工藝步驟。表2.1顯示了SPM的一些常見清潔和表面處理順序:

      2022-07-11 標(biāo)簽：清洗光刻膠SPM 1.0萬 0

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      過氧化氫溶液的作用解讀 在半導(dǎo)體材料制備中硅晶片清洗

      引言 過氧化氫被認(rèn)為是半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵化學(xué)品。半導(dǎo)體材料的制備和印刷電路板的制造使用過氧化氫水溶液來清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅...

      2022-07-07 標(biāo)簽：芯片硅晶片光刻膠 5.4k 0

      蝕刻后殘留物和光刻膠的去除方法

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      在未來幾代器件中，光刻膠(PR)和殘留物的去除變得非常關(guān)鍵。在前端制程(FEOL)離子注入后(源極/漏極、擴(kuò)展、haIos、深阱)，使用PR封閉部分電路...

      2022-07-04 標(biāo)簽：蝕刻晶片光刻膠 1.2萬 0

      一文看懂：光刻膠的創(chuàng)新應(yīng)用與國產(chǎn)替代機(jī)會(huì)

      一文看懂：光刻膠的創(chuàng)新應(yīng)用與國產(chǎn)替代機(jī)會(huì)

      引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的...

      2022-04-25 標(biāo)簽：電子元器件半導(dǎo)體光刻膠 1.3萬 0

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        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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