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標簽 > 內存時序
內存時序是描述內存條性能的一種參數(shù),一般存儲在內存條的SPD中。一般數(shù)字“A-B-C-D”分別對應的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
內存時序是描述內存條性能的一種參數(shù),一般存儲在內存條的SPD中。一般數(shù)字“A-B-C-D”分別對應的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
CAS Latency(簡稱CL值)內存CAS延遲時間,它是內存的重要參數(shù)之一,某些牌子的內存會把CL值印在內存條的標簽上。
RAS-to-CAS Delay(tRCD),內存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間。
RAS Precharge Delay(tRP),內存行地址選通脈沖預充電時間。
Row Active Delay(tRAS),內存行地址選通延遲。
內存時序是描述內存條性能的一種參數(shù),一般存儲在內存條的SPD中。內存時序和我們的內存頻率一樣,同樣代表了一款內存性能的高低。一般數(shù)字“A-B-C-D”分...
2022-02-06 標簽:內存時序 2.3萬 0
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